型号: | FDS6990 |
厂商: | Fairchild Semiconductor Corporation |
英文描述: | Dual 30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
中文描述: | 双30V的N沟道的PowerTrench式SyncFET |
文件页数: | 3/6页 |
文件大小: | 86K |
代理商: | FDS6990 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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FDS6990A | Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
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FDS6993 | Dual P-Channel PowerTrench MOSFET |
FDS6994S | Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FDS6990A | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDS6990A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
FDS6990A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
FDS6990A_D84Z | 功能描述:MOSFET S0-8 DUAL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDS6990A_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |