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参数资料
| 型号： | FDS86140 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.8 毫欧 @ 11.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2580pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
March 2011
FDS86140
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
100 V, 11.2 A, 9.8 m Ω
Features
General Description
Max r DS(on) = 9.8 m Ω at V GS = 10 V, I D = 11.2 A
This
N-Channel
MOSFET
is
produced using Fairchild
Max r DS(on) = 16 m Ω at V GS = 6 V, I D = 9 A
High performance trench technologh for extremely low r DS(on)
High power and current handing capability in a widely used
surface mount package
100% UIL Tested
RoHS Compliant
Semiconductor‘s advanced Power Trench ? process that has
been optimized for r DS(on) , switching performance and
ruggedness .
Applications
DC/DC Converters and Off-Line UPS
Distributed Power Architectures and VRMs
Primary Swith for 24 V and 48 V Systems
High Voltage Synchronous Rectifier
D
D
D
D
5
4
G
D
D
D
6
7
3 S
2 S
SO-8
S
G
D
8
1 S
S
Pin 1
S
MOSFET Maximum Ratings T A = 25
°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
100
±20
Units
V
V
I D
Drain Current
-Continuous
-Pulsed
11.2
50
A
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3 )
264
mJ
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T C = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1 )
(Note 1a)
5.0
2.5
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1 )
(Note 1a)
25
50
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS86140
Device
FDS86140
Package
SO-8
Reel Size
13’’
Tape Width
12 mm
Quantity
2500 units
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS86140 Rev.C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS86141 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS86240 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS86242 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS86252 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8638 | 功能描述:MOSFET 40/20V, N Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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