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参数资料
| 型号： | FDS8880 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 11.6 A, 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | SO-8 |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 259K |
| 代理商： | FDS8880 |
F
FDS8880 Rev. A1
www.fairchildsemi.com
6
Figure 11. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 12. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 13. Gate Charge Waveforms for Constant Gate Currents
Typical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
100
1000
0.1
1
10
2000
30
C
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 15V
I
D
= 11.6A
I
D
= 1A
WAVEFORMS IN
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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