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参数资料
| 型号： | FDS89141 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 3.5A 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 398pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics ( N-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
18
15
12
9
V GS = 10 V
V GS = 7 V
V GS = 6 V
V GS = 5.5 V
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 5 V
V GS = 5.5 V
V GS = 6 V
6
2.0
3
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 5 V
1.5
1.0
V GS = 7 V
V GS = 10 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.5
0
3
6
9
12
15
18
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
2.0
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
400
1.8
1.6
I D = 3.5 A
V GS = 10 V
300
I D = 3.5 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.4
200
1.2
1.0
100
T J = 125 o C
0.8
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
4
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On-Resistance
vs Junction Temperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
18
15
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
20
10
V GS = 0 V
V DS = 5 V
12
9
T J = 150 o C
T J = 25 o C
6
3
T J
= 150 o C
T J = 25 o C
-55 o C
T J =
1
T J = -55 o C
0
2
3
4
5
6
7
8
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS89141 Rev. C
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS89161 | 功能描述:MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS89161LZ | 功能描述:MOSFET PT5 100V Logic Level with Zener RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8926 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| FDS8926A | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8928A | 功能描述:MOSFET SO-8 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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