- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录427 > FDS89141 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 100V 3.5A 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS89141 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 3.5A 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 398pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics ( N-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
10
400
8
6
4
I D = 3.5 A
V DD = 25 V
V DD = 50 V
V DD = 75 V
100
10
C iss
C oss
2
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
1
2
3
4
5
6
1
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
4
4
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
3
2
T J = 25 o C
T J = 100 o C
3
2
Package Limited
V GS = 10 V
V GS = 6 V
R θ JA = 78 C/W
T J = 125 o C
1
o
1
0.01
0.1
1
4
0
25
50
75
100
125
150
T A , Ambient TEMPERATURE ( C )
20
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
600
10
1
THIS AREA IS
100 us
1 ms
10 ms
100
SINGLE PULSE
R θ JA = 135 o C/W
T A = 25 o C
0.1
0.01
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 135 o C/W
T A = 25 o C
100 ms
1s
10 s
DC
10
1
10
10
10
10
10
0.005
0.1
1
10
100
400
0.5 -4
10
-3
-2
-1
1
10
2
3
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS89141 Rev. C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS89161LZ | MOSFET N-CH 100V DUAL LL 8SOIC |
| FDS89161 | MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-SOIC |
| FDS8928A | MOSFET N/P-CH DUAL 30/20V 8SOIC |
| FDS8935 | MOSFET P-CH 80V 2.1A 8SOIC |
| FDS8949_F085 | MOSFET N-CH 40V DUAL 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS89161 | 功能描述:MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS89161LZ | 功能描述:MOSFET PT5 100V Logic Level with Zener RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8926 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| FDS8926A | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8928A | 功能描述:MOSFET SO-8 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。