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参数资料
| 型号： | FDS89161LZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V DUAL LL 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 2.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 302pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics ( N-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
15
12
9
6
V GS = 10 V
V GS = 8 V
V GS = 6 V
V GS =5 V
V GS = 4 V
4
3
2
V GS = 3.5 V
V GS = 4 V
V GS = 6 V
V GS = 5 V
V GS = 3.5 V
3
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 8 V
V GS = 10 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
3
6
9
12
15
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
2.0
1.8
I D = 2.7 A
V GS = 10 V
500
400
I D = 2.7 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.6
1.4
300
1.2
200
T J = 125 o C
1.0
100
0.8
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On-Resistance
vs Junction Temperature
15
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
20
12
10
1
V GS = 0 V
T J = 150 o C
9
6
T J = 150 o C
V DS = 50 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0.1
T J = 25 o C
3
0.01
T J = -55 o C
T J
= 25 o C
T J
= -55 o C
0
0
2
4
6
8
10
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS89161LZ Rev. C4
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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