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参数资料
| 型号： | FDS9431A |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | P-Channel 2.5V Specified MOSFET |
| 中文描述： | 3500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SOIC-8 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 204K |
| 代理商： | FDS9431A |
F
FDS9431A Rev. A2
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
= -4.5V
-3.5V
-2.5V
-2.0V
-1.5V
0
2
4
6
8
10
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -2.0V
R
D
-3.0
-3.5
-4.5
-4.0
-2.5
1
2
3
4
5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
-V ,GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
25
°
C
T = 125
°
C
I = -0.8A
D
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
25
°
C
-55
°
C
V = 0V
J
°
C
R
D
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
T , JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
D
V = -4.5V
GS
I = -1.6A
0
1
2
3
4
0
2
4
6
8
10
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
V = -5V
T = -55
°
C
125
°
C
25
°
C
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