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参数资料
| 型号： | FDS9933A |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 3.8 A, 20 V, 0.075 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | SOIC-8 |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 191K |
| 代理商： | FDS9933A |
SOIC-8 (FS PKG Code S1)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0774
SO-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS9933 | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDS9934C | Dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors |
| FDS9936 | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDS9936A | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDS9945 | 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS9933A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS9933A_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9933BZ | 功能描述:MOSFET -20V 2.5V Dual P-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9934C | 功能描述:MOSFET 20V Complementary PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9934C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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