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参数资料
| 型号： | FDU6688 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 84A I-PAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 84A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 56nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3845pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
June 2004
FDD6688/FDU6688
30V N-Channel PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This N-Channel MOSFET has been designed
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional
? 84 A, 30 V.
R DS(ON) = 5 m ? @ V GS = 10 V
R DS(ON) = 6 m ? @ V GS = 4.5 V
switching PWM controllers. It has been optimized for
low gate charge, low R DS( ON) and fast switching speed.
Applications
? DC/DC converter
? Low gate charge
? Fast switching
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
? Motor Drives
D
D
G
D-PAK
S
TO-252
(TO-252)
G D S
I-PAK
(TO-251AA)
G
S
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbo
Parameter
Ratings
Units
l
V DSS
V GSS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
30
± 20
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 3)
84
A
– Pulsed
(Note 1a)
100
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1)
83
W
(Note 1a)
(Note 1b)
3.8
1.6
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +175
° C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
1.8
40
° C/W
(Note 1b)
Package Marking and Ordering Information
96
Device Marking
FDD6688
FDU6688
Device
FDD6688
FDU6688
Package
D-PAK (TO-252)
I-PAK (TO-251)
Reel Size
13’’
Tube
Tape width
12mm
N/A
Quantity
2500 units
75
? 2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6688/FDU6688 Rev F(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDU7030BL | MOSFET N-CH 30V 14A I-PAK |
| FDU8778 | MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK |
| FDU8782 | MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK |
| FDU8796_F071 | MOSFET N-CH 25V 35A IPAK |
| FDU8870 | MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDU6688_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU6692 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU6692_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU6696 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU6696_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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