- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录428 > FDU7030BL (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 14A I-PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDU7030BL |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14A I-PAK |
| 标准包装： | 1,800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1425pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
60
3
50
V GS =10V
6.0V
4.0V
3.5V
2.8
2.6
V GS = 3.0V
40
30
4.5V
2.4
2.2
2
1.8
20
3.0V
1.6
1.4
4.0V
4.5V
10
0
1.2
1
0.8
5.0V
6.0V
10V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
10
20
30
40
50
60
1.8
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
0.03
1.6
I D = 14A
V GS = 10V
0.025
I D = 7A
1.4
1.2
0.02
T A = 125 o C
0.015
1
0.8
0.6
0.01
0.005
T A = 25 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2
4
6
8
10
60
50
40
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature
V DS = 5V
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage
100
V GS = 0V
10
T A = 125 o C
1
30
0.1
25 o C
20
10
T A =125 o C
25 o C
0.01
0.001
-55 o C
-55 o C
0
0.0001
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
FDD7030BL/FDU7030BL Rev. B(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDU8778 | MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK |
| FDU8782 | MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK |
| FDU8796_F071 | MOSFET N-CH 25V 35A IPAK |
| FDU8870 | MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK |
| FDU8874 | MOSFET N-CH 30V 116A I-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDU7030BL_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU7N20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET |
| FDU7N60NZTU | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 600V 5.5A 1.25Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU8580 | 功能描述:MOSFET 20V 35A 9 OHM NCH POWER TRENC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU8586 | 功能描述:MOSFET 20V 35A 5.5 OHM NCH IPAK PO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。