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参数资料
| 型号： | FDU8874 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 116A I-PAK |
| 标准包装： | 1,800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 116A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.1 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 72nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2990pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
PSPICE Thermal Model
REV 23 May 2004
FDD8874T
CTHERM1 TH 6 1.9e-3
CTHERM2 6 5 2.8e-3
CTHERM3 5 4 3.5e-3
RTHERM1
th
JUNCTION
CTHERM1
CTHERM4 4 3 3.6e-3
CTHERM5 3 2 4.0e-3
CTHERM6 2 TL 1.6e-2
6
RTHERM1 TH 6 3.8e-2
RTHERM2 6 5 5.0e-2
RTHERM3 5 4 1.0e-1
RTHERM4 4 3 1.8e-1
RTHERM2
CTHERM2
RTHERM5 3 2 3.5e-1
RTHERM6 2 TL 3.7e-1
5
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDD8874T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =1.9e-3
ctherm.ctherm2 6 5 =2.8e-3
ctherm.ctherm3 5 4 =3.5e-3
ctherm.ctherm4 4 3 =3.6e-3
ctherm.ctherm5 3 2 =4.0e-3
ctherm.ctherm6 2 tl =1.6e-2
rtherm.rtherm1 th 6 =3.8e-2
rtherm.rtherm2 6 5 =5.0e-2
rtherm.rtherm3 5 4 =1.0e-1
rtherm.rtherm4 4 3 =1.8e-1
rtherm.rtherm5 3 2 =3.5e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =3.7e-1
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
4
3
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
}
2
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
RTHERM6
tl
CASE
CTHERM6
FDD8874 / FDU8874 Rev.B 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDU8876 | MOSFET N-CH 30V 73A I-PAK |
| FDU8878 | MOSFET N-CH 30V 40A I-PAK |
| FDU8882 | MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK |
| FDU8896 | MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK |
| FDV301N_NB9V005 | MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDU8876 | 功能描述:MOSFET 30V 73A 8.2 OHM NCH PWR TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU8878 | 功能描述:MOSFET 30V N-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU8878_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 40A, 15m ohm |
| FDU8880 | 功能描述:MOSFET 30V 58A 10 OHM NCH PWR TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU8880_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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