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参数资料
| 型号： | FDU8882 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK |
| 标准包装： | 1,800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.5 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1260pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
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April 200 8
FDD8882 / FDU8882
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
30V, 55A, 11.5m ?
tm
Features
! r DS(ON) = 11.5m ? , V GS = 10V, I D = 35A
! r DS(ON) = 15m ? , V GS = 4.5V, I D = 35A
! High performance trench technology for extremely low
r DS(ON)
! Low gate charge
! High power and current handling capability
RoHS C omplicant
Application
! DC/DC converters
D
G
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to
improve the overall efficiency of DC/DC converters using
either synchronous or conventional switching PWM
controllers. It has been optimized for low gate charge, low
r DS(ON) and fast switching speed.
D
D-PAK
S
TO-252
(TO-252)
G D S
I-PAK
(TO-251AA)
G
S
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD8882/FDU8882 Rev. C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDU8896 | MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK |
| FDV301N_NB9V005 | MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 |
| FDV302P_D87Z | MOSFET P-CH 25V 0.12A SOT-23 |
| FDV303N_NB9U008 | MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23 |
| FDV304P_D87Z | MOSFET P-CH 25V 0.46A SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDU8882_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDU8896 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU8896_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDU8896_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDUE0630-H-R24M=P3 | 制造商:TOKO Inc 功能描述: |
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