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参数资料
| 型号： | FDU8882 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK |
| 标准包装： | 1,800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.5 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1260pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
Dynamic Characteristics
C ISS
C OSS
C RSS
R G
Q g(TOT)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
Total Gate Charge at 10V
V DS = 15V, V GS = 0V,
f = 1MHz
V GS = 0.5V, f = 1MHz
V GS = 0V to 10V
-
-
-
-
-
1260
240
140
2.4
22
-
-
-
-
33
pF
pF
pF
?
nC
Q g(5)
Q g(TH)
Q gs
Q gs2
Q gd
Total Gate Charge at 5V
Threshold Gate Charge
Gate to Source Gate Charge
Gate Charge Threshold to Plateau
Gate to Drain “ Miller ” Charge
V GS = 0V to 5V
V GS = 0V to 1V
V DD = 15V
I D = 35A
I g = 1.0mA
-
-
-
-
-
11.7
1.2
3.7
2.5
4.6
17.6
1.8
-
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
Switching Characteristics
(V GS = 10V)
t ON
t d(ON)
Turn-On Time
Turn-On Delay Time
-
-
-
8
135
-
ns
ns
t r
t d(OFF)
t f
t OFF
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-Off Time
V DD = 15V, I D = 35A
V GS = 10V, R GS = 13 ?
-
-
-
-
82
40
25
-
-
-
-
98
ns
ns
ns
ns
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
t rr
Q RR
Source to Drain Diode Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovered Charge
I SD = 35A
I SD = 15A
I SD = 35A, dI SD /dt = 100A/ μ s
I SD = 35A, dI SD /dt = 100A/ μ s
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
32
21
V
V
ns
nC
Notes:
1: Package current limitation is 35A.
2: Starting T J = 25 ° C, L = 0.1mH, I AS = 28A, V DD = 27V, V GS = 10V.
3
FDD8882/FDU8882 Rev. C
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDU8896 | MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK |
| FDV301N_NB9V005 | MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 |
| FDV302P_D87Z | MOSFET P-CH 25V 0.12A SOT-23 |
| FDV303N_NB9U008 | MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23 |
| FDV304P_D87Z | MOSFET P-CH 25V 0.46A SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDU8882_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDU8896 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU8896_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDU8896_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDUE0630-H-R24M=P3 | 制造商:TOKO Inc 功能描述: |
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