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参数资料
| 型号： | FDV303N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 680mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 450 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDV303NDKR |
Typical Electrical And Thermal Characteristics
5
4
I D = 0.5A
V DS = 5V
15V
10V
150
100
50
C iss
3
C oss
2
20
f = 1 MHz
1
10
V GS = 0V
C rss
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
5
0.1
V
DS
0.5 1 2 5
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
25
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
5
Figure 8. Capacitance Characteristics .
5
IM
ON
RD
1m
10m
0m
3
1
S(
)L
IT
10
s
s
s
4
3
SINGLE PULSE
R θ JA =357° C/W
T A = 25°C
0.3
1s
0.1
V GS = 4.5V
DC
10
s
2
SINGLE PULSE
1
0.03
R θ JA =357°C/W
T A = 25°C
0.01
0.1
0.2
0.5 1 2 5 10
V DS , DRAI N-SOURCE VOLTAGE (V)
20
40
0
0.001
0.01
0.1 1
SINGLE PULSE TIME (SEC)
10
100
300
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
1
0.5
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 357 °C/W
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve .
FDV303N Rev.D1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DC-ANT-E-24DP-10 | CORD EXT 30CM W/RP-SMA CONN (10) |
| DC-ANT-E-24DT-10 | CORD EXT 30CM W/RP-SMA CONN (10) |
| MCE4WT-A2-0000-000M01 | LED COOL WHITE 430 LUMEN SMD |
| MCE4WT-A2-0000-000HE7 | LED WARM WHITE 3000K XLAMP SMD |
| CMC-60-2060 | CRYSTAL RC 60KHZ FOR WATCH&CLOCK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDV303N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N DIGITAL SOT-23 |
| FDV303N_NB9U008 | 功能描述:MOSFET N-Ch Digital RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDV303N_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch Digital RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDV303NFSC | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDV303NNB9U008 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
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