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参数资料
| 型号： | FDV304P |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Digital FET, P-Channel |
| 中文描述： | 460 mA, 25 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | FDV304P |
FDV304P Rev.E
1
-5
-4
-3
-2
-1
0
-1.5
-1.25
-1
-0.75
-0.5
-0.25
0
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
V = -4.5V
GS
D
-2.7
-2.5
-2.0
-3.0
-1.5
-3.5
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-1.6
-1.4
-1.2
-1
-0.8
-0.6
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -2.0 V
R
D
-3.5
-4.5
-2.7
-2.5
-3.0
-4.0
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
-1
-0.75
-0.5
-0.25
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -5V
TJ
125°C
25°C
Figure 5. Transfer Characteristics.
0
0.2
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.01
0.1
0.5
-
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
S
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current and
Temperature.
Figure 4. On Resistance
Variation with
Gate-To- Source Voltage.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
R
D
V = -2.7V
I = -0.25A
-5
-4.5
-4
-3.5
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
0
1
2
3
4
5
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
125°C
25°C
I = -0.5A
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