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参数资料
| 型号： | FDW2501N |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 6000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | TSSOP-8 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 456K |
| 代理商： | FDW2501N |
FDW2501N Rev C1(W)
Typical Characteristics
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
V
GS
= 4.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
6
12
18
24
30
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 2.5V
4.0V
3.5V
4.5V
3.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
=6A
V
GS
= 4.5V
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
1
4
7
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 3 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
5
10
15
20
25
30
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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