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参数资料
| 型号： | FDW2502PZ |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 4400 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153AA |
| 封装： | TSSOP-8 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 451K |
| 代理商： | FDW2502PZ |
TSSOP-8 (FS PKG Code S4)
TSSOP-8 Package Dimensions
January 2000, Rev. B
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in millimeters
Part Weight per unit (gram): 0.0334
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDW2503NZ | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW2503 | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW2503N | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW2504 | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW2504P | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDW2503 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW2503N | 功能描述:MOSFET TSSOP-8 N-CH DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDW2503N_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW2503N_Q | 功能描述:MOSFET TSSOP-8 N-CH DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDW2503NZ | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel 2.5V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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