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参数资料
| 型号： | FDY3000NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL SC89 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 20/Aug/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-563F |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 600mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 700 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 446mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SC-89 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDY3000NZDKR |
January 200 7
January 2007
FDY3000NZ
DualN-Channel2.5V Specified PowerTrench MOSFET
tm
GeneralDescription
Features
This Dual N-Channel MOSFET has been designed
using Fairchild Semiconductor’s advanced Power
Trench process to optimize the R DS(ON) @ V GS = 2.5v.
Applications
Li-Ion Battery Pack
6
600 mA,20 V R DS(ON) = 700 m
R DS(ON) = 850 m
ESD protection diode (note 3)
RoHS Compliant
@ V GS = 4.5 V
@ V GS = 2.5 V
5
4
S 1
G 1
1
2
6
5
D 1
G 2
1
2
D 2
3
4
S 2
3
T A =25 C unlessotherwise noted
Absolute Maxim um Ratings
o
Sym bol
V DSS
V GSS
Param eter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
20
12
Units
V
V
I D
Drain Current – Continuous
(Note 1a)
600
mA
– Pulsed
1000
P D
Power Dissipation (Steady State)
(Note 1a)
625
mW
(Note 1b)
446
T J ,T STG
Operating and Storage Junction Temperature
–55 to +150
C
Range
Therm alCharacteristics
R
R
JA
JA
ThermalResistance,Junction-to-Ambient (Note 1a)
ThermalResistance,Junction-to-Ambient (Note 1b)
200
280
C/W
Package Marking and Ordering Inform ation
Device Marking
C
Device
FDY3000NZ
ReelSize
7 ’’
Tape width
8 mm
Quantity
3000 units
200 7 Fairchild Semiconductor Corporation
FDY3000NZ Rev B
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDY300NZ | MOSFET N-CH 20V 600MA SC89 |
| FDY301NZ | MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89 |
| FDY302NZ | MOSFET N-CH 20V SC-89-3 |
| FDY4000CZ | MOSFET N/P-CH 20V 600/350 SC89-6 |
| FDZ1905PZ | MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDY3000NZ_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDY3001NZ | 功能描述:MOSFET 20V Dual N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY300NZ | 功能描述:MOSFET 20V Sgl N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY300NZ_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDY301NZ | 功能描述:MOSFET 20V Sgl N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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