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参数资料
| 型号： | FDY302NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V SC-89-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 600mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 446mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-89，SOT-490 |
| 供应商设备封装： | SC-89-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
JANUARY 201 4
FDY30 2 NZ
Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench ? MOSFET
General Description
This Single N-Channel MOSFET has been designed
using Fairchild Semiconductor’s advanced Power
Trench process to optimize the R DS(ON) @ V GS = 2.5 V .
Applications
? Li-Ion Battery Pack
Features
? 600 mA, 20 V R DS(ON) = 3 00 m ? @ V GS = 4.5 V
R DS(ON) = 5 0 0 m ? @ V GS = 2.5 V
? ESD protection diode (note 3)
? RoHS Compliant
1S
G 1
T A =25 C unless otherwise noted
D
Absolute Maximum Ratings
G
o
S
2
3
D
Symbol
Parameter
Ratings
Unit
s
V DS
V GS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
20
± 12
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
600
mA
– Pulsed
1000
P D
Power Dissipation (Steady State)
(Note 1a)
625
mW
(Note 1b)
446
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature
–55 to +150
° C
Range
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
200
280
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
F
Device
FDY30 2 N Z
Reel Size
7 ’’
Tape width
8 mm
Quantity
3 000 units
? 2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDY30 2 NZ Rev B
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDY4000CZ | MOSFET N/P-CH 20V 600/350 SC89-6 |
| FDZ1905PZ | MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP |
| FDZ191P | MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP |
| FDZ192NZ | MOSFET N-CH 20V 6-WLCSP |
| FDZ193P | MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDY4000CZ | 功能描述:MOSFET SC89-6 COMP NCH & PCH POWER T RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY4001CZ | 功能描述:MOSFET SC89-6 COMP NCH & PCH POWER T RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY4001CZCT | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDY6342L | 功能描述:功率驱动器IC 8V 1.2Ohm Integrated RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FDYAF273X100 | 制造商:FDY 功能描述:AF327X100 POLYSTYRENE |
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