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参数资料
| 型号： | FDZ193P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP |
| 产品目录绘图： | 6-WL-CSP Package |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFBGA，WLCSP |
| 供应商设备封装： | 6-WLCSP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDZ193PDKR |
June 2009
FDZ193P
P-Channel 1.7V PowerTrench ? WL-CSP MOSFET
-20V, -1A, 90m
tm
Features
General Description
Max r DS(on) = 90m
Max r DS(on) = 130m
at V GS = -4.5V, I D = -1A
at V GS = -2.5V, I D = -1A
Designed on Fairchild's advanced 1.7V PowerTrench ? process
with state of the art "low pitch" WLCSP packaging process, the
FDZ193P minimizes both PCB space and r DS(on) . This advanced
Max r DS(on) = 300m at V GS = -1.7V, I D = -1A
Occupies only 1.5 mm 2 of PCB area Less than 50% of the
area of 2 x 2 BGA
Ultra-thin package: less than 0.65 mm height when mounted
to PCB
RoHS Compliant
WLCSP MOSFET embodies a breakthrough in packaging
technology which enables the device to combine excellent
thermal transfer characteristics, ultra-low profile packaging, low
gate charge, and low r DS(on) .
Application
Battery management
Load switch
Battery protection
PIN 1
S
S
G
PIN 1
S
D
D
S
G
BOTTOM
TOP
D
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
-20
±12
Units
V
V
I D
Drain Current
-Continuous
-Pulsed
(Note 1a)
-3
-15
A
P D
T J , T STG
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Note 1a)
(Note 1b)
1.9
0.9
-55 to +150
W
° C
Thermal Characteristics
R
R
JA
JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
65
133
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
2
Device
FDZ193P
Package
WL-CSP
Reel Size
7’’
Tape Width
8mm
Quantity
5000 units
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDZ193P Rev.C2 (W)
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDZ391P | MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDZ197PZ | 功能描述:MOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ201N | 功能描述:MOSFET 20V/12V NChannel BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ201N_04 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
| FDZ201N_Q | 功能描述:MOSFET 20V/12V NChannel BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ202P | 功能描述:MOSFET 20V/12V P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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