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参数资料
| 型号： | FDZ193P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP |
| 产品目录绘图： | 6-WL-CSP Package |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFBGA，WLCSP |
| 供应商设备封装： | 6-WLCSP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDZ193PDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
5
I D = -1A
2000
4
3
V DD = -5V
V DD = -10V
1000
C iss
C oss
2
V DD = -15V
1
100
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
2
4
6
8
10
50
0.1
1 10
20
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
3.5
3.0
V GS = -4.5V
2.5
30
10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
100us
2.0
1.5
1
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
1ms
10ms
1.0
V GS = -2.5V
0.1
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
100ms
1s
R JA = 65 C/W
R JA = 133 C/W
0.5
0.0
25
50
o
75
100
125
150
0.01
0.1
TJ = MAX RATED
o
TA = 25 O C
1
10
10s
DC
80
T A , CASE TEMPERATURE ( C )
o
Figure 9. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
50
V GS = 10V
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
10
CURRENT AS FOLLOWS:
150 – T
A
I = I 25
------------------------
125
T A = 25 o C
1
SINGLE PULSE
10
10
10
10
10
10
10
0.5
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
FDZ193P Rev.C2 (W)
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDZ197PZ | MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP |
| FDZ371PZ | MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP |
| FDZ375P | MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1 |
| FDZ391P | MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP |
| FDZ3N513ZT | MOSFET N-CH 30V WLCSP 2X2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDZ197PZ | 功能描述:MOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ201N | 功能描述:MOSFET 20V/12V NChannel BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ201N_04 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
| FDZ201N_Q | 功能描述:MOSFET 20V/12V NChannel BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ202P | 功能描述:MOSFET 20V/12V P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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