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参数资料
| 型号： | FDZ193P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP |
| 产品目录绘图： | 6-WL-CSP Package |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFBGA，WLCSP |
| 供应商设备封装： | 6-WLCSP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDZ193PDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
16
2.0
14
12
V GS = -4.5V
PULSE DURATION = 300 s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
V GS = -3V
1.8
V GS = -2V
PULSE DURATION = 300 s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
10
8
6
4
2
V GS = -3.5V
V GS = -2.5V
V GS = -2V
1.6
1.4
1.2
1.0
V GS = -2.5V
V GS = -3V
V GS = -3.5V
V GS = -4.5V
0
V GS = -1.7V
0.8
0.0
0.5
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
0
2
4 6 8 10
12
14
16
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.4
-I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
240
1.3
I D = -1A
V GS = -4.5V
200
I D = -1A
PULSE DURATION = 300 s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
1.2
160
1.1
1.0
0.9
0.8
120
80
40
T J = 25 o C
T J = 125 o C
-50
-25
0 25 50 75 100 125
150
1.5
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
5.0
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
16
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
10
14
12
10
8
6
4
PULSE DURATION = 300 s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
V DD = -5V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
1
0.1
0.01
1E-3
V GS = 0V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
2
0
T J = -55 o C
1E-4
0.0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
3.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDZ193P Rev.C2 (W)
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDZ197PZ | 功能描述:MOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ201N | 功能描述:MOSFET 20V/12V NChannel BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ201N_04 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
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| FDZ202P | 功能描述:MOSFET 20V/12V P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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