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参数资料
| 型号： | FDZ371PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP |
| 产品目录绘图： | 4-WL-CSP PKG |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-XFBGA，WLCSP |
| 供应商设备封装： | 4-WLCSP（1x1） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDZ371PZDKR |
November 2009
FDZ371PZ
P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench ? Thin WL-CSP MOSFET
-20 V, -3.7 A, 75 m ?
Features
Max r DS(on) = 75 m ? at V GS = -4.5 V, I D = -2.0 A
Max r DS(on) = 90 m ? at V GS = -2.5 V, I D = -1.5 A
Max r DS(on) = 110 m ? at V GS = -1.8 V, I D = -1.0 A
Max r DS(on) = 150 m ? at V GS = -1.5 V, I D = -1.0 A
Occupies only 1.0 mm 2 of PCB area.Less than 30% of the
area of 2 x 2 BGA
Ultra-thin package: less than 0.4 mm height when mounted to
PCB
HBM ESD protection level >4.4kV typical (Note 3)
RoHS Compliant
Pin 1
S
General Description
Designed on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench ? process
with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process,
the FDZ371PZ minimizes both PCB space and r DS(on) . This
advanced WLCSP MOSFET embodies a breakthrough in
packaging technology which enables the device to combine
excellent thermal transfer characteristics, ultra-low profile
packaging, low gate charge, and low r DS(on) .
Applications
Battery management
Load switch
Battery protection
D
G
S
Pin 1
BOTTOM
TOP
WL-CSP 1.0X1.0 Thin
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
-20
±8
Units
V
V
I D
P D
-Continuous
-Pulsed
Power Dissipation
Power Dissipation
T A = 25°C
T A = 25°C
T A = 25°C
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 1b)
-3.7
-12
1.7
0.5
A
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
75
260
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
K
Device
FDZ371PZ
Package
WL-CSP 1.0X1.0 Thin
Reel Size
7”
Tape Width
8 mm
Quantity
5000 units
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDZ371PZ Rev.C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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