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参数资料
| 型号： | FDZ371PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP |
| 产品目录绘图： | 4-WL-CSP PKG |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-XFBGA，WLCSP |
| 供应商设备封装： | 4-WLCSP（1x1） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDZ371PZDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
2
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
t 1
t 2
R θ JA = 260 C/W
SINGLE PULSE
o
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
10
10
0.001
-4
-3
-2
-1
1
10
2
3
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 12. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDZ371PZ Rev.C
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDZ375P | MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1 |
| FDZ391P | MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP |
| FDZ3N513ZT | MOSFET N-CH 30V WLCSP 2X2 |
| FDZ661PZ | MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP |
| FDZ663P | MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDZ375 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDZ375P | 功能描述:MOSFET 20V P-Channel 1.5V Specfied PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ375P_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench?? Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -3.7 A, 78 m?? |
| FDZ391P | 功能描述:MOSFET -20V P-Ch 1.5 V PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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