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参数资料
| 型号： | FDZ3N513ZT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V WLCSP 2X2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 462 毫欧 @ 300mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 85pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-UFBGA，WLCSP |
| 供应商设备封装： | 4-WLCSP（1x1） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDZ3N513ZTDKR |
July 2010
FDZ3N513ZT
Integrated NMOS and Schottky Diode
Features
Monolithic NMOS and Schottky Diode
Ultra-small form factor 1mm x 1mm WLCSP
Max r DS(on) = 462 m Ω at V GS = 4.5 V, I D = 0.3 A
Max r DS(on) = 520 m Ω at V GS = 3.2 V, I D = 0.3 A
HBM ESD protection level > 2000V (Note3)
RoHS Compliant
D
General Description
The FDZ3N513ZT is a monolithic NMOS/ Schottky combination
(FETky) and is designed and wired to function as a discontinu-
ous conduction mode (DCM) boost LED power train for mobile
LED backlighting applications.
Application
Boost Converter Power Train for single cell Li-ion LED
backlighting
S
G
K
Pin 1
WL-CSP 3D Bumps Facing Up View
Absolute Maximum Ratings
WL-CSP 3D Bumps Facing Down View
WL-CSP 1.0X1.0 Bumps Facing Up View
Symbol
V DS
V GS
NMOS Drain to Source Voltage
NMOS Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
30
-0.3/5.5
Units
V
V
P D
I D
V RRM
I O
T J , T STG
ESD
Power Dissipation @ T A = 25°C
Maximum Continuous NMOS Drain Current
Schottky Repetitive Peak Reverse Voltage
Schottky Average Forward Current
Operating Junction and Storage Temperature
Electrostatic Discharge Protection
(Note 1a)
(Note 1a)
CDM
1
1.1
25
0.3
-55/125
2000
W
A
V
A
°C
V
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient - 1in 2 , 2oz. Copper
Thermal Resistance, Junction to Ambient - Minimum Pad
(Note 1a)
(Note 1b)
100
260
°C/W
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FDZ3N513ZT
Device Marking
Z3
Package
WL-CSP 1.0X1.0
Reel Size
7”
Tape Width
8mm
Quantity
5000 units
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDZ3N513ZT Rev. C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDZ661PZ | MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP |
| FDZ663P | MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP |
| FGA15N120FTDTU | IGBT 1200V 15A TO-3PN |
| FGA180N33ATDTU | IGBT PDP TRENCH 330V 180A TO-3P |
| FGA20N120FTDTU | IGBT TRENCH 20A 1200V TO-3PN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDZ3N513ZTUCX | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FD-Z40HBW | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:FIBER FLAT DIFFUSE REFLECT R1 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:SENSOR, FIBRE OPTIC, REFLECTIVE, 260MM, Fiber Optic Sensor Type:Reflective, Sensing Range Max:260mm , RoHS Compliant: Yes 制造商:Panasonic Industrial Devices 功能描述:SENSOR, FIBRE OPTIC, REFLECTIVE, 260MM, Fiber Optic Sensor Type:Reflective, Sens |
| FD-Z40W | 制造商:PANASONIC INDUSTRIAL AUTOMATION SALES 功能描述:FIBER DIFFUSE REFLECT FLAT R1 |
| FDZ453P | 功能描述:MOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ4640 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench BGA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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