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参数资料
| 型号： | FGA20N120FTDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT TRENCH 20A 1200V TO-3PN |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-3PN Package |
| 标准包装： | 30 |
| IGBT 类型： | 沟道和场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 40A |
| 功率 - 最大： | 298W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FGA20N120FTDTU-ND FGA20N120FTDTUFS |
November 2013
FGA20N120FTD
1200 V, 20 A Field Stop Trench IGBT
Features
? Field Stop Trench Technology
? High Speed Switching
? Low Saturation Voltage: V CE(sat) = 1.6 V @ I C = 20 A
? High Input Impedance
? RoHS Compliant
General Description
Using advanced field stop trench technology, Fairchild’s 1200V
trench IGBTs offer superior conduction and switching perfor-
mances for soft switching applications. The device can operate
in parallel configuration with exceptional avalanche ruggedness.
This device is designed for induction heating and microwave
oven.
Applications
? Induction Heating, Microvewave Oven
C
G
TO-3P
G C E
Absolute Maximum Ratings
E
Symbol
V CES
V GES
Description
Collector to Emitter Voltage
Gate to Emitter Voltage
Ratings
1200
? 25
Unit
V
V
@ T C = 25 C
@ T C = 100 C
I C
I CM (1)
I F
P D
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Diode Continuous Forward Current
Diode Continuous Forward Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
@ T C = 25 o C
@ T C = 100 o C
@ T C = 25 o C
@ T C = 100 o C
o
o
40
20
60
20
10
298
119
A
A
A
A
A
W
W
T J
T stg
T L
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for soldering
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
-55 to +150
-55 to +150
300
o
o
o
C
C
C
Notes:
1: Repetitive rating, Pulse width limited by max. junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
R ? JC (IGBT)
Thermal Resistance, Junction to Case
-
0.42
o
C / W
R ? JC (Diode)
Thermal Resistance, Junction to Case
-
2.0
o C / W
R ? JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
-
40
o
C / W
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGA20N120FTD Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA20S120M | IGBT 1200V 40A 348W TO3PN |
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| FGA25N120FTD | IGBT TRENCH 1200V 50A TO-3P |
| FGA30N120FTDTU | IGBT 30A 1200V TRENCH TO-3P |
| FGA30N60LSDTU | IGBT 600V 60A TO-3PN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGA20S120M | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V 20A SA FS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA20S125P | 功能描述:IGBT 晶体管 2.5A Output Current GateDrive Optocopler RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA20S140P | 功能描述:IGBT 晶体管 USB Port Multimedia Switch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA21H-10G | 制造商:AVC 功能描述: 制造商:AVX Corporation 功能描述: |
| FGA21H-14B | 制造商:AVC 功能描述: 制造商:AVX Corporation 功能描述: |
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