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参数资料
| 型号： | FGA30N120FTDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 30A 1200V TRENCH TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| IGBT 类型： | 沟道和场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 60A |
| 功率 - 最大： | 339W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
April 2013
FGA30N120FTD
1200 V, 30 A Field Stop Trench IGBT
Features
? Field Stop Trench Technology
? High Speed Switching
? Low Saturation Voltage: V CE(sat) = 1.6 V @ I C = 30 A
? High Input Impedance
Applications
General Description
Using advanced field stop trench technology, Fairchild?’s
1200V trench IGBTs offer superior conduction and switching
performances for soft switching applications. The device can
operate in parallel configuration with exceptional avalanche rug-
gedness. This device is designed for induction heating and
microwave oven.
? Solar Inverter, UPS, Welder, PFC
C
G
G C E
TO-3P
E
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V CES
V GES
Description
Collector to Emitter Voltage
Gate to Emitter Voltage
Ratings
1200
± 25
Unit
V
V
@ T C = 25 C
I C
I CM (1)
Collector Current
Collector Current
Pulsed Collector Current
@ T C = 25 o C
@ T C = 100 o C
o
60
30
90
A
A
A
I F
Diode Continuous Forward Current
@ T C =
100 o C
30
A
@ T C = 25 C
P D
T J
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature
o
@ T C = 100 o C
339
132
-55 to +150
W
W
o C
T stg
T L
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for soldering
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
-55 to +150
300
o
o
C
C
Notes:
1: Repetitive rating: Pulse width limited by max. junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
R θ JC (IGBT)
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Case
Typ.
-
Max.
0.38
Unit
o C / W
R θ JC (Diode)
Thermal Resistance, Junction to Case
-
1.2
o
C / W
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH30N120FTD Rev. C0
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA30N60LSDTU | IGBT 600V 60A TO-3PN |
| FGA30S120P | IGBT 1300V 60A TO-3P |
| FGA40N65SMD | IGBT 650V 80A TO-3P |
| FGA50N100BNTD2 | IGBT NPT 1000V 50A TO-3P |
| FGA50N100BNTDTU | IGBT NPT 50A 1000V TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGA30N60LSD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:MOSFETs and bipolar transistors |
| FGA30N60LSDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 30A 600V N-Ch Planar RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA30N65SMD | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:650V 30A FS PLANAR GEN2 IGBT - Rail/Tube 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT 650V 60A 300W TO3P-3 |
| FGA30S120P | 功能描述:IGBT 晶体管 Shorted AnodeTM IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA33-22B | 制造商:AVC 功能描述: 制造商:AVX Corporation 功能描述: |
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