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参数资料
| 型号： | FGA30N60LSDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 60A TO-3PN |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-3PN Package |
| 标准包装： | 30 |
| IGBT 类型： | 沟道和场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.4V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 60A |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FGA30N60LSDTU-ND FGA30N60LSDTUFS |
November 2013
FGA30N60LSD
600 V, 30 A PT IGBT
Features
? Low Saturation Voltage: V CE(sat) = 1.1 V @ I C = 30 A
? High Input Impedance
? Low Conduction Loss
Applications
General Description
Using Fairchild's advanced PT technology, the FGA30N60LSD
IGBT offers superior conduction performances, which offer the
optimum performance for medium switching application such as
solar inverter, UPS applications where low conduction losses
are the most important factor.
? Solar Inverter, UPS
C
G
E
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V CES
V GES
Description
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Ratings
600
? 20
Unit
V
V
I C
I CM (1)
I FSM
Collector Current
Collector Current
Pulsed Collector Current
Non-repetitive Peak Surge Current
@ T C = 25 ? C
@ T C = 100 ? C
60
30
90
150
A
A
A
A
60Hz Single Half-Sine Wave
P D
T J
T stg
T L
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for soldering
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
@ T C = 25 ? C
@ T C = 100 ? C
480
192
-55 to +150
-55 to +150
300
W
W
? C
? C
? C
Notes :
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
R ? JC (IGBT)
R ? JC (Diode)
R ? JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Typ.
--
--
--
Max.
0.26
0.92
40
Unit
? C / W
? C / W
? C / W
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGA30N60LSD Rev.C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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