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参数资料
| 型号： | FGA30N60LSDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 60A TO-3PN |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-3PN Package |
| 标准包装： | 30 |
| IGBT 类型： | 沟道和场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.4V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 60A |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FGA30N60LSDTU-ND FGA30N60LSDTUFS |
Figure 19. Transient Thermal Impedance of IGBT
1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
P DM
0.01
t 1
t 2
Duty Factor, D = t1/t2
1E-3
single pulse
Peak T j = Pdm x Zthjc + T C
1E-5
1E-4
1E-3 0.01 0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration [sec]
Figure 20. Forward Voltage Drop
100
Figure 21. Reverse Current
1E-4
T C = 125 C
1E-5
o
T C = 75 C
T C =125 C
10
o
1E-6
1E-7
o
T C =75 C
T C = 25 C
1
o
1E-8
o
T C =25 C
o
0.1
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
1E-9
0
100
200
300
400
500
600
FORWARD VOLTAGE, V F [V]
Figure 22. Reverse Recovery Time
200
190
180
170
160
150
I F = 15A
REVERSE VOLTAGE, V R [V]
T C = 125 C
T C = 75 C
T C = 25 C
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
o
o
o
100
200
300
400
500
di F /dt [A/ ? s]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGA30N60LSD Rev.C1
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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