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参数资料
| 型号： | FGA50N100BNTTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT NPT 1000V 50A TO-3P |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 产品目录绘图： | FGA Series TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| IGBT 类型： | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.9V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 功率 - 最大： | 156W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
March 2009
FGA50N100BNT
1000V, 50A NPT-Trench IGBT CO-PAK
tm
Features
General Description
?
?
?
?
High Speed Switching
Low Saturation Voltage : V CE(sat) = 2.5 V @ I C = 60A
High Input Impedance
RoHS Compliant
Trench insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with NPT
technology show outstanding performance in conduction and
switching characteristics as well as enhanced avalanche
ruggedness. These devices are well suited for UPS, PFC, I-H
Applications
Jar, induction Heater and Home Appliance.
?
UPS, PFC, I-H Jar, Induction Heater, Home Appliance.
TO-3P
G C E
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V CES
V GES
Description
Collector to Emitter Voltage
Gate to Emitter Voltage
Ratings
1000
± 25
Units
V
V
@ T C = 100 C
I C
I CM (1)
P D
Collector Current
Collector Current
Pulsed Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
@ T C = 25 o C
@ T C = 100 o C
@ T C = 25 o C
o
50
35
200
156
63
A
A
A
W
W
T J
T stg
T L
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for soldering
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
-55 to +150
-55 to +150
300
o
o
o
C
C
C
Notes:
1: Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC (IGBT)
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
-
-
0.8
40.0
o
o
C / W
C / W
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FGA50N100BNT Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FGA60N60UFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 60A FIELD STOP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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