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参数资料
| 型号： | FGA50N100BNTTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT NPT 1000V 50A TO-3P |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 产品目录绘图： | FGA Series TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| IGBT 类型： | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.9V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 功率 - 最大： | 156W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Package Marking and Ordering Information
Packaging
Max Qty
Device Marking
FGA50N100BNT
Device
FGA50N100BNTTU
Package
TO-3PN
Type
Rail / Tube
Qty per Tube
30ea
per Box
-
Electrical Characteristics of the IGBT
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV CES
Collector to Emitter Breakdown Voltage V GE = 0V, I C = 1mA
1000
-
-
V
I CES
I GES
Collector Cut-Off Current
G-E Leakage Current
V CE = 1000V, V GE = 0V
V GE = ±25V, V CE = 0V
-
-
-
-
1.0
±500
mA
nA
On Characteristics
V GE(th)
V CE(sat)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter Saturation Voltage
I C = 60mA, V CE = V GE
I C = 10A , V GE = 15V
I C = 60A , V GE = 15V
I C = 60A , V GE = 15V,
T C = 125 o C
4.0
-
-
5.5
1.5
2.5
3.1
7.0
1.8
2.9
-
V
V
V
V
Dynamic Characteristics
C ies
Input Capacitance
-
6000
-
pF
C oes
C res
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V CE = 10V , V GE = 0V,
f = 1MHz
-
-
260
200
-
-
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
Turn-On Delay Time
-
34
-
ns
t r
t d(off)
t f
Q g
Q ge
Q gc
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate to Emitter Charge
Gate to Collector Charge
V CC = 600V, I C = 60A,
R G = 10 ? , V GE = 15V,
Inductive Load, T C = 25 o C
V CE = 600V, I C = 60A,
V GE = 15V, T C = 25 o C
-
-
-
-
-
-
68
243
65
257
45
95
-
-
100
350
-
-
ns
ns
ns
nC
nC
nC
FGA50N100BNT Rev. A
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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