参数资料
型号: FGA50N100BNTTU
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: IGBT NPT 1000V 50A TO-3P
产品变化通告: Product Discontinuation 27/Feb/2012
产品目录绘图: FGA Series TO-3P
标准包装: 30
IGBT 类型: NPT 和沟道
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1000V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.9V @ 15V,60A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 50A
功率 - 最大: 156W
输入类型: 标准
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-3PN
包装: 管件
产品目录页面: 1610 (CN2011-ZH PDF)
V GE = 15V, T C = 125 C
Typical Performance Characteristics
Figure 19. Turn off Switching SOA Characterisics
250
100
10
Safe Operating Area
o
1
1
10
100
1000 3000
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 20.Transient Thermal Impedance of IGBT
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
single pulse
Duty Factor, D = t1/t2
Peak T j = Pdm x Zthjc + T C
1E-3
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration [sec]
FGA50N100BNT Rev. A
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
FGA50N60LS 功能描述:IGBT 晶体管 IGBT Short Circuit Rated RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGA50S110P 功能描述:IGBT 晶体管 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGA-60 制造商:Richco 功能描述:Fan Gasket,Black,60MM 制造商:Richco 功能描述:Bulk
FGA60N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 60A Field Stop IGBT
FGA60N60UFDTU 功能描述:IGBT 晶体管 600V 60A FIELD STOP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube