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参数资料
| 型号： | FGA50N100BNTTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT NPT 1000V 50A TO-3P |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 产品目录绘图： | FGA Series TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| IGBT 类型： | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.9V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 功率 - 最大： | 156W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 7. Saturation Voltage vs. V GE
Figure 8. Saturation Voltage vs. V GE
20
Common Emitter
20
Common Emitter
T C = 25 C
T C = 125 C
16
12
8
60A
o
16
12
8
60A
o
4
30A
90A
4
30A
90A
0
0
I C = 10A
4 8 12 16
20
0
0
I C = 10A
4 8 12 16
20
T C = 25 C
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
Figure 9. Capacitance Characteristics
8000
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
Figure 10. Gate charge Characteristics
15
Common Emitter
o
12
6000
C ies
V CC = 200V
T C = 25 C
4000
Common Emitter
V GE = 0V, f = 1MHz
o
9
600V
400V
6
2000
C oes
C res
3
0
1
10
30
0
0
55
110 165 220
275
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 11. SOA Characteristics
Gate Charge, Q g [nC]
Figure 12. Load Current vs. Frequency
500
120
V CC = 600V
100
10
1
10 μ s
100 μ s
1ms
10 ms
100
80
60
load Current : peak of square wave
40
*Notes:
DC
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
T = 100 C
0.1
o
o
20 Duty cycle : 50%
o
C
10
10
10
10
0.01
1
3. Single Pulse
10 100 1000 3000
0
Power Dissipation = 63W
0 1
2
3
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Frequency [kHz]
FGA50N100BNT Rev. A
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FGA50S110P | 功能描述:IGBT 晶体管 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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| FGA60N60UFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 60A FIELD STOP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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