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参数资料
| 型号： | FGA50N100BNTTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT NPT 1000V 50A TO-3P |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 产品目录绘图： | FGA Series TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| IGBT 类型： | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.9V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 功率 - 最大： | 156W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 13. Turn-on Characteristics vs.
Gate Resistance
300
Figure 14. Turn-off Characteristics vs.
Gate Resistance
2000
1000
t d(off)
100
t r
t d(on)
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
10
10
Common Emitter
V CC = 600V, V GE = 15V
I C = 60A
o
o
20 30 40
50
100
10
10
20
t f
30
Common Emitter
V CC = 600V, V GE = 15V
I C = 60A
o
o
40
50
Gate Resistance, R G [ ? ]
Figure 15. Turn-on Characteristics vs.
Collector Current
200
Gate Resistance, R G [ ? ]
Figure 16. Turn-off Characteristics vs.
Collector Current
1000
100
t r
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 10 ?
t d(off)
T C = 25 C
T C = 125 C
t d(on)
100
o
o
t f
T C = 25 C
T C = 125 C
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 10 ?
o
o
10
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
T C = 25 C
Collector Current, I C [A]
Figure 17. Switching Loss vs. Gate Resistance
50
Common Emitter
V CC = 600V, V GE = 15V
I C = 60A
o
Collector Current, I C [A]
Fig 18. Switching Loss vs. Collector Current
30
10
E on
T C = 125 C
10
o
E on
T C = 25 C
T C = 125 C
E off
1
E off
Common Emitter
V CC = 600V, V GE = 15V
I C = 60A
o
o
1
10
20 30 40
50
0.1
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Gate Resistance, R G [ ? ]
Collector Current, I C [A]
FGA50N100BNT Rev. A
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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