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参数资料
| 型号： | FGA20N120FTDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT TRENCH 20A 1200V TO-3PN |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-3PN Package |
| 标准包装： | 30 |
| IGBT 类型： | 沟道和场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 40A |
| 功率 - 最大： | 298W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FGA20N120FTDTU-ND FGA20N120FTDTUFS |
Mechanical Dimensions
Figure 23. TO-3P 3L - 3LD, T03, PLASTIC, EIAJ SC-65
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?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGA20N120FTD Rev. C1
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| FGA30N120FTDTU | IGBT 30A 1200V TRENCH TO-3P |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGA20S120M | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V 20A SA FS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA20S125P | 功能描述:IGBT 晶体管 2.5A Output Current GateDrive Optocopler RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA20S140P | 功能描述:IGBT 晶体管 USB Port Multimedia Switch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA21H-10G | 制造商:AVC 功能描述: 制造商:AVX Corporation 功能描述: |
| FGA21H-14B | 制造商:AVC 功能描述: 制造商:AVX Corporation 功能描述: |
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