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参数资料
| 型号： | FDZ192NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 6-WLCSP |
| 标准包装： | 5,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1220pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFBGA，WLCSP |
| 供应商设备封装： | 6-WLCSP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
January 2010
FDZ192NZ
N-Channel 1.5 V Specified PowerTrench ? Thin WL-CSP MOSFET
20 V, 5.3 A, 39 m ?
Features
Max r DS(on) = 39 m ? at V GS = 4.5 V, I D = 2.0 A
Max r DS(on) = 43 m ? at V GS = 2.5 V, I D = 2.0 A
Max r DS(on) = 49 m ? at V GS = 1.8 V, I D = 1.0 A
Max r DS(on) = 55 m ? at V GS = 1.5 V, I D = 1.0 A
Occupies only 1.5 mm 2 of PCB area.Less than 50% of the
area of 2 x 2 BGA
Ultra-thin package: less than 0.65 mm height when mounted
to PCB
HBM ESD protection level > 2200V (Note3)
RoHS Compliant
PIN1
S
General Description
Designed on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench ? process
with state of the art "fine pitch" WLCSP packaging process, the
FDZ192NZ minimizes both PCB space and r DS(on) . This
advanced WLCSP MOSFET embodies a breakthrough in
packaging technology which enables the device to combine
excellent thermal transfer characteristics, ultra-low profile
packaging, low gate charge, and low r DS(on) .
Applications
Battery management
Load switch
Battery protection
D
S
D
S
G
BOTTOM
TOP
WL-CSP 1x1.5 Thin
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
20
±8
Units
V
V
I D
P D
-Continuous
-Pulsed
Power Dissipation
Power Dissipation
T A = 25°C
T A = 25°C
T A = 25°C
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 1b)
5.3
15
1.9
0.9
A
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
65
133
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
8
Device
FDZ192NZ
Package
WL-CSP 1x1.5 Thin
Reel Size
7”
Tape Width
8 mm
Quantity
5000 units
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDZ192NZ Rev.C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDZ391P | MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDZ197PZ | 功能描述:MOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ201N | 功能描述:MOSFET 20V/12V NChannel BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ201N_04 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
| FDZ201N_Q | 功能描述:MOSFET 20V/12V NChannel BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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