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参数资料
型号： FDZ192NZ
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 6/7页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 20V 6-WLCSP
标准包装： 5,000
系列： PowerTrench®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 5.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 39 毫欧 @ 2A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 17nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1220pF @ 10V
功率 - 最大： 900mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-UFBGA，WLCSP
供应商设备封装： 6-WLCSP
包装： 带卷 (TR)
Dimensional Outline and Pad Layout
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDZ192NZ Rev.C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FDZ193P MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP
FDZ197PZ MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP
FDZ371PZ MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP
FDZ375P MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1
FDZ391P MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP
相关代理商/技术参数
参数描述
FDZ193P 功能描述:MOSFET MFET-20V P-CH 1.7V PowerTrench WL-CSP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDZ197PZ 功能描述:MOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDZ201N 功能描述:MOSFET 20V/12V NChannel BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDZ201N_04 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ201N_Q 功能描述:MOSFET 20V/12V NChannel BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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