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参数资料
| 型号： | FDZ192NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 6-WLCSP |
| 标准包装： | 5,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1220pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFBGA，WLCSP |
| 供应商设备封装： | 6-WLCSP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
15
12
V GS = 4.5 V
V GS = 3 V
2.5
2.0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
9
V GS = 2.5 V
V GS =1.5 V
6
V GS = 1.8 V
V GS = 1.5 V
1.5
V GS = 1.8 V
3
PULSE DURATION = 80 μ s
1.0
V GS = 2.5 V
V GS = 3 V
V GS = 4.5 V
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
0.5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
3
6
9
12
15
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
1.6
I D = 2 A
100
PULSE DURATION = 80 μ s
1.4
1.2
V GS = 4.5 V
80
60
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 2 A
1.0
0.8
40
20
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
15
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
20
12
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
10
V GS = 0 V
9
V DS = 5 V
T J = 150 o C
1
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
6
T J = 25 o C
3
0
T J = -55 o C
0.01
0.001
T J = -55 o C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDZ192NZ Rev.C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDZ193P | MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP |
| FDZ197PZ | MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP |
| FDZ371PZ | MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP |
| FDZ375P | MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1 |
| FDZ391P | MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDZ193P | 功能描述:MOSFET MFET-20V P-CH 1.7V PowerTrench WL-CSP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ197PZ | 功能描述:MOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ201N | 功能描述:MOSFET 20V/12V NChannel BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ201N_04 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
| FDZ201N_Q | 功能描述:MOSFET 20V/12V NChannel BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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