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参数资料
| 型号： | FDZ192NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 6-WLCSP |
| 标准包装： | 5,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1220pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFBGA，WLCSP |
| 供应商设备封装： | 6-WLCSP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
4.5
3.6
I D = 5.3 A
V DD = 8 V
2000
1000
C iss
2.7
1.8
V DD = 10 V
V DD = 12 V
f = 1 MHz
C oss
0.9
100 V GS = 0 V
C rss
0.0
0
3
6
9
12
15
50
0.01
0.1
1
10 20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
10
10
10
-1
-2
-3
-4
V DS = 0 V
20
10
1
1 ms
10
10
10
10
-5
-6
-7
-8
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 133 o C/W
T A = 25 o C
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
10
-9
0
3
6
9
12
15
0.01
0.1
1 10
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
50
R θ JA = 133 C/W
T A = 25 C
V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe Operating Area
Figure 9. Gate Leakage Current vs
Gate to Source Voltage
100
SINGLE PULSE
o
o
10
1
10
10
10
-3
-2
-1
1
10
1000
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDZ192NZ Rev.C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDZ193P | MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP |
| FDZ197PZ | MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP |
| FDZ371PZ | MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP |
| FDZ375P | MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1 |
| FDZ391P | MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDZ193P | 功能描述:MOSFET MFET-20V P-CH 1.7V PowerTrench WL-CSP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ197PZ | 功能描述:MOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ201N | 功能描述:MOSFET 20V/12V NChannel BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ201N_04 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
| FDZ201N_Q | 功能描述:MOSFET 20V/12V NChannel BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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