收藏本站
参数资料
型号： FDZ663P
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 5/6页
文件大小： 0K
描述： MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP
标准包装： 5,000
系列： PowerTrench®
FET 型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 2.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 134 毫欧 @ 2A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 8.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 525pF @ 10V
功率 - 最大： 400mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 4-XFBGA
供应商设备封装： 4-WLCSP
包装： 带卷 (TR)
Dimensional Outline and Pad Layout
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDZ663P Rev.C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FGA15N120FTDTU IGBT 1200V 15A TO-3PN
FGA180N33ATDTU IGBT PDP TRENCH 330V 180A TO-3P
FGA20N120FTDTU IGBT TRENCH 20A 1200V TO-3PN
FGA20S120M IGBT 1200V 40A 348W TO3PN
FGA25N120ANTDTU_F109 IGBT NPT 25A 1200V TO-3P
相关代理商/技术参数
参数描述
FDZ7064AS 功能描述:MOSFET 30V/12V NCh SYNCFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDZ7064N 功能描述:MOSFET 30V N-Ch BGa MOSFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDZ7064N_Q 功能描述:MOSFET 30V N-Ch BGa MOSFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDZ7064S 功能描述:MOSFET 30V/12V NCh SYNCFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDZ7296 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench BGA MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*