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参数资料
| 型号： | FDZ7064N |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel Logic Level PowerTrench BGA MOSFET |
| 中文描述： | 13.5 A, 30 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ULTRA THIN, BGA-30 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 186K |
| 代理商： | FDZ7064N |
FDZ7064N Rev D4 (W)
Dimensional Outline and Pad Layout
F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDZ7064S | TERMINAL |
| FDZ7296 | 30V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET |
| FE3C | GLASS PASSIVATED FAST EFFICIENT RECTIFIER |
| FE5A | Glass Passivated Fast Efficient Rectifier(钝化玻璃快速效应整流器) |
| FE5B | Glass Passivated Fast Efficient Rectifier(钝化玻璃快速效应整流器) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDZ7064N_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch BGa MOSFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ7064S | 功能描述:MOSFET 30V/12V NCh SYNCFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ7296 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench BGA MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZX2-S4/4 | 制造商:Cooper Bussmann 功能描述:ADAPTR KIT FOR FD800 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:ADAPTER KIT FOR FD800 |
| FDZX2-S4-4 | 制造商:Cooper Bussmann 功能描述:ADAPTER KIT FOR FD800 - Bulk |
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