参数资料
型号: FESB8BT-E3/45
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 3/3页
文件大小: 133K
描述: DIODE 8A 100V 35NS SGL TO263AB
标准包装: 1,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 100V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 950mV @ 8A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 35ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 100V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263AB
包装: 管件
‘? _ FES8xT, FESF8xT, FEsB8xT7 www'V'Shay'C°m Vishay General Semiconductor
I000
EPercent ol Rated Peak Reverse Voltage (O/O)
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0.2 0 4 0.6 0 E 1.0 12 1.4 1.6 1.8 2.0Instantaneous Forward Voltage (V) Reverse Voltage (V)Fig. 3 - Typical Instantaneous FonNard Characteristics Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
I00
I0
OI
Instantaneous Reverse Leakage
Current (uA)
Fig. A - Typical Reverse Leakage Characteristics
Revision: 20-Aug-13 3 Document Number: 88600
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PDF描述
T95V475K016EZSL CAP TANT 4.7UF 16V 10% 1410
RW2-4815D/H2/SMD CONV DC/DC 2W 36-72VIN +/-15VOUT
R1D-0524/HP-R CONV DC/DC 1W 05VIN +/-24VOUT
GCM11DRPH CONN EDGECARD 22POS DIP .156 SLD
GBM15DRMS CONN EDGECARD 30POS .156 WW
相关代理商/技术参数
参数描述
FESB8BTHE3/45 功能描述:整流器 8.0A 100 Volt 35ns 125 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
FESB8BTHE3/81 功能描述:整流器 8.0A 100 Volt 35ns 125 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
FESB8CT 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER
FESB8CT/81 功能描述:整流器 150 Volt 8.0A 35ns Single RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
FESB8CT-E3/81 功能描述:整流器 150 Volt 8.0A 35ns Single RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel