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参数资料
| 型号： | FFH50US60S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 1091K |
| 描述： | DIODE STEALTH 600V 50A TO247-2 |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | Stealth™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 50A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.54V @ 50A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 124ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | TO-247-2 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FFH50US60S-ND FFH50US60SFS |
FFH50US60S — STEALTH? Diode
Typical Performance Curves
Figure 1. Forward Current vs Forward Voltage Figure 2. Reverse Current vs Reverse Voltage
Figure 3. ta
and t
b
Curves vs Forward Current
Figure 4. ta
and t
b
Curves vs dI
F/dt
Figure 5. Maximum Reverse Recovery Current vs
Forward Current
Figure 6. Maximum Reverse Recovery Current vs
dIF/dt
0
20
30
50
70
80
100
0.25 0.5 0.75 1.0 1.25 1.5 1.75
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
175oC
125oC
2.0
75oC
25oC
90
60
40
10
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
, REVERSE CURRENT (μA)
0.01
0.1
1
10
100
1000
100 200 300 400 500 600
125oC
100oC
75
oC
25
oC
150oC
175oC
0
20
40
140
160
180
200
IF
, FORWARD CURRENT (A)
t, RECOVERY TIMES (ns)
tb
at dI
F/dt = 200A/μs, 500A/μs, 800A/μs
VR
= 390V, T
C
= 125
oC
ta
at dI
F/dt = 200A/μs, 500A/μs, 800A/μs
0 1020 30 40 50
60708090100
120
100
80
60
dIF
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
t, RECOVERY TIMES (ns)
25
50
75
100
125
150
225
VR
= 390V, T
C
= 125
oC
175
tb
at I
F
= 100A, 50A, 25A
ta
at I
F
= 100A, 50A, 25A
0 200 400 600 800 1000 1200
200
IF, FORWARD CURRENT (A)
I
RR
,
MAX REVERSE RECOVERY
CURRENT
(
A)
dIF/dt = 200A/μs
VR
= 390V, T
C
= 125
oC
0 10 6070809010020 30 40 50
0
10
20
30
50
40
dIF/dt = 500A/μs
dIF/dt = 800A/μs
dIF
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
IF
= 100A
IF
= 25A
I
RR
, MAX REVERSE
RECO
VERY CURRENT
(
A)
IF
= 50A
VR
= 390V, T
C
= 125
oC
0
10
20
30
40
50
60
0 200 400 600 800 1000 1200
?2003
Fairchild
Semiconductor Corporation
FFH50US6
Rev. C1
www.fairchildsemi.com
3
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