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参数资料
| 型号： | FFH50US60S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 1091K |
| 描述： | DIODE STEALTH 600V 50A TO247-2 |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | Stealth™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 50A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.54V @ 50A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 124ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | TO-247-2 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FFH50US60S-ND FFH50US60SFS |
FFH50US60S — STEALTH? Diode
Figure 7. Reverse Recovery Softness Factor vs
dIF/dt
Figure 8. Reverse Recovery Charge vs dIF/dt
Figure 9. Junction Capacitance vs Reverse Voltage
Figure 10. Maximum Reverse Recovery Current
and trr
vs Case
Temperature
Figure 11. DC CURRENT DERATING CURVE
Typical Performance Curves
(Continued)
dIF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
S, REVERSE RECOVERY SOFTNESS FACTOR
VR
= 390V, T
C
= 125
oC
0 200 400 600 800 1000 1200
IF
= 25A
IF
= 50A
IF
= 100A
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
2.4
2.0
2.2
1.8
dIF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
Q
RR
, REVERSE RECOVERED CHARGE (μC)
IF
= 25A
VR
= 390V, T
C
= 125
oC
0
1
2
3
4
5
6
IF
= 100A
IF
= 50A
0 200 400 600 800 1000 1200
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
C
J
, JUNCTION CAPACITANCE (pF)
0.1
1
10
100
0.03
f = 1MHZ
0
200
400
600
800
1000
1400
1200
t, RECOVERY TIMES (ns)
25 50 75 100 125
175
TC, CASE TEMPERATURE (oC)
I
RM(REC)
, MAX REVERSE RECOVERY CURRENT (A)
IRM(REC)
tRR
IF
= 50A, V
R
= 390V, dI
F/dt = 600A/usec
150
-38
-36
-34
-32
-30
-28
-26
-24
-22
-40
-42
100
110
120
130
140
150
160
170
180
90
80
0
135 175145
155 165
10
20
30
TC, CASE TEMPERATURE (oC)
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
125
115
60
50
40
?2003
Fairchild
Semiconductor Corporation
FFH50US6
Rev. C1
www.fairchildsemi.com
4
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