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参数资料
| 型号： | FFP08S60STU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 255K |
| 描述： | DIODE HYPERFAST 600V TO-220AC |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Stealth™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.6V @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 30ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220-2L |
| 包装： | 管件 |
FFP08S60S — STEALTH? II Diode
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
3
www.fairchildsemi.com
FFP08S60S Rev. C1
Typical Performance Characteristics
TC
= 25°C unless otherwise noted
Figure 3. Typical Forward Voltage Drop Figure 4. Typical Reverse Current
Figure 5. Typical Junction Capacitance Figure 6. Typical Reverse Recovery Time
Figure 7. Typical Reverse Recovery Current Figure 8. Forward Current Deration Curve
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2
0.1
1
10
100
TC=75oC
TC=25oC
FORWARD CURRENT, I
F
[A]
FORWARD VOLTAGE, VF
[V]
TC=125oC
0 100 200 300 400 500 600
1E-9
1E-8
1E-7
1E-6
1E-5
1E-4
TC
= 25
oC
TC
= 75
oC
REVERSE CURRENT, I
R
[A]
REVERSE VOLTAGE, VR
[V]
TC
= 125
oC
1 10 100 1000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
JUNCTION CAPACITANCE, C
J
[pF]
REVERSE VOLTAGE, VR
[V]
f = 1MHz
100 200 300 400 500
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
TC
= 125
o
C
TC
= 75
o
C
REVERSE RECOVERY TIME, t
rr
[ns]
diF/dt [A/?s]
TC
= 25
o
C
IF
= 8A
100 200 300 400 500
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
TC
= 25
o
C
TC
= 75
o
C
REVERSE RECOVERY CURRENT, I
rr
[A]
diF/dt [A/?s]
TC
= 125
o
C
IF
=8A
100 110 120 130 140 150
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
AVERAGE FORWARD CURRENT, I
F(AV)
[A]
CASE TEMPERATURE, TC
[
oC]
DC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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