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参数资料
| 型号： | FFPF08S60SNTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 692K |
| 描述： | DIODE STEALTHII 8A 600V TO220F-2 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Stealth™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 3.4V @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 25ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 全封装，隔离接片 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1611 (CN2011-ZH PDF) |
 FFPF08S60SN — STEALTH? II Diode ?2008 Fairchild Semiconductor Corporation FFPF08S60SN Rev. C1 www.fairchildsemi.com 1 FFPF08S60SN 8 A, 600 V, STEALTHTMII Diode ? Stealth Recovery trr = 25 ns (@ IF = 8 A) ? Max Forward Voltage, VF = 3.4 V (@ T C = 25°C) ? 600 V Reverse Voltage and High Reliability Applications ? General Purpose ? SMPS, Power Switching Circuits ? Boost Diode in Continuous Mode Power Factor Corrections The FFPF08S60SN is a STEALTH? II diode with soft recovery characteristics. It is silicon nitride passivated ion-implanted epitaxial planar construction. This device is intended for use as freewheeling of boost diode in switching power supplies and other power swithching applications. Their low stored charge and hyperfast soft recovery minimize ringing and electrical noise in many power switching circuits reducing power loss in the switching transistors. Absolute Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted Thermal Characteristics Package Marking and Ordering Information Symbol Parameter Ratings Unit VRRM Peak Repetitive Reverse Voltage 600 V VRWM Working Peak Reverse Voltage 600 V VR DC Blocking Voltage 600 V IF(AV) Average Rectified Forward Current @ TC = 60 oC 8 A IFSM Non-repetitive Peak Surge Current 60Hz Single Half-Sine Wave 60 A TJ, TSTG Operating and Storage Temperature Range -65 to +150 oC Symbol Parameter Max. Unit RθJC Maximum Thermal Resistance, Junction to Case 6.8 oC/W 1. Cathode 2. Anode 1. Cathode 2. Anode TO-220F-2L ? Avalanche Energy Rated ? RoHS Compliant Description Features Part Number Top Mark Package Packing Method Reel Size Tape Width Quantity FFPF08S60SNTU FFPF08S60SN TO-220F-2L Tube N/A N/A 50 November 2013 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FFPF08S60STU | IC DIODE STEALTH 600V TO220F-2 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FFPF08S60ST_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:8A, 600V STEALTHTM II Rectifier |
| FFPF08S60STTU | 功能描述:整流器 8A, 600V STEALTH II Rectifier RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| FFPF08S60STU | 功能描述:整流器 Stealth II Rectifier RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| FFPF10F150S | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:DAMPER DIODE |
| FFPF10F150STU | 功能描述:整流器 10A/1500V Damper RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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