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参数资料
| 型号： | FFPF08S60STU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 817K |
| 描述： | IC DIODE STEALTH 600V TO220F-2 |
| 产品目录绘图： | Power Diode Circuit |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | STEALTH™ II |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.6V @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 30ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 全封装，隔离接片 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1614 (CN2011-ZH PDF) |
 3 www.fairchildsemi.com FFPF08S60S — STEALTH? II Diode Typical Performance Characteristics TC = 25°C unless otherwise noted Figure 3. Typical Forward Voltage Drop Figure 5. Typical Junction Capacitance Figure 6. Typical Reverse Recovery Time Figure 7. Typical Reverse Recovery Current Figure 8. Forward Current Deration C urve 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 0.1 1 10 100 TC=75oC TC=25oC F O RW ARD CURRENT, I F [A] FORWARD VOLTAGE, VF [V] TC=125oC 0 100 200 300 400 500 600 1E-9 1E-8 1E-7 1E-6 1E-5 Figure 4. Typical Reverse Current 1E-4 TC = 25 oC TC = 75 oC REVERSE CURRENT, I R [A] REVERSE VOLTAGE, VR [V] TC = 125 oC 1 10 100 1000 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 JUNCTION CAPACITANCE, C J [pF] REVERSE VOLTAGE, VR [V] f = 1MHz 100 200 300 400 500 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 TC = 125 oC TC = 75 oC REVERSE RECOVERY TIME, trr [ns] diF/dt [ A/μs] TC = 25 oC IF = 8A 100 200 300 400 500 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 TC = 25 oC TC = 75 oC REVERSE RECOVERY CURRENT, Irr [A] diF/dt [A/μs] TC = 125 oC IF =8A 70 80 90 100 110 120 130 140 150 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 AVERAGE FORWARD CURRENT, I F(AV) [A] CASE TEMPERATURE, TC [ oC] DC ?2007 Fairchild Semiconductor Cor poration FFPF08S60S Rev. C1 |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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