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参数资料
| 型号： | FFPF12UP20DNTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 2165K |
| 描述： | DIODE PWR ULT FAST 200V TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.15V @ 6A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 6A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 12ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
2
www.fairchildsemi.com
FFPF12UP20DN
6
A,
200
V,
Ultrafast
Dual
Diode
Electrical Characteristics
(per diode) TC
= 25°C unless otherwise noted
*Pulse Test: Pulse Width=300
μs, Duty Cycle=2%
Test Circuit and Waveforms
Symbol
Parameter
Min. Typ. Max.
Unit
VF
*
IF
= 6
A
IF
= 6
A
TC
= 25
°C
TC
= 100
°C
-
-
-
-
1.15
1.0
V
V
IR
*
VR
= 200
V
VR
= 200
V
TC
= 25
°
C
TC
= 100
°C
-
-
-
-
100
500
μA
μA
trr
IF
=
1
A, di/dt = 100
A/μs, VCC
= 30
V
IF
=
6
A, di/dt = 200
A/μs, VCC
= 130
V
TC
= 25
°C
TC
= 25
°C
-
-
-
-
30
35
ns
ns
ta
tb
Qrr
IF
=
6
A, di/dt = 200
A/μs, VCC
= 130
V
TC
= 25
°C
TC
= 25
°C
TC
= 25
°
C
-
-
-
12
12
24
-
-
-
ns
ns
nC
WAVL
Avalanche Energy (L = 20mH)
10 -
-
mJ
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FFPF12UP20DN Rev. A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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