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参数资料
| 型号： | FFPF20UP60DNTU_G |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 287K |
| 描述： | DIODE 600V 10A TO-220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.2V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 反向恢复时间(trr)： | 70ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
FFPF20UP60DN
—
Ultrafast Dual Diode
www.fairchildsemi.com
3
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FFPF20UP60DN Rev. C1
Typical Performance Characteristics
Figure 3. Typical Forward Voltage Drop
Figure 4. Typical Reverse Current
vs. Forward Current vs. Reverse Voltage
Figure 5. Typical Junction Capacitance Figure 6. Typical Reverse Recovery Time
vs. di
F/dt
Figure 7. Typical Reverse Recovery
Figure 8.
Forward Current Derating Curve
Current vs. di
F/dt
0.1
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
1
10
TC
= 100
oC
Forward Current, I
F
[A]
Forward Voltage, V
F
[V]
TC
= 25
oC
30
100 200 300 400 500 600
0.1
10
1
10
100
1000
10000
TC
= 25
oC
TC
= 100
oC
Reverse Current , I
R
[
nA
]
Reverse Voltage, VR
[V]
0
0.1 1 10 100
25
50
75
100
125
Typical Capacitance
at 0V = 124 pF
Reverse Voltage, VR[V]
Capacitances , Cj [pF]
40
100 150 200 250 300 350 400
80
120
TC
= 25
oC
TC
= 100
oC
Reverse Recovery Time, t
rr
[ns]
diF/dt [A/?s]
160
2
100 150 200 250 300 350 400di
F/dt [A/?s]
4
6
8
10
TC
= 25
oC
TC
= 100
oC
Reverse Recovery Current, I
rr
[A]
0
25 50 75 100 125 150
4
8
12
16
20
Average Forward Current, I
F(AV)
[A]
Case temperature, TC
[oC]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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