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参数资料
| 型号： | FFPF60SA60DSTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 256K |
| 描述： | DIODE STEALTH DUAL 600V TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Stealth™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.4V @ 8A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 8A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 反向恢复时间(trr)： | 30ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
FFPF60SA60DS
—
STEALTH
TM
Dual Series Diode
www.fairchildsemi.com
3
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FFPF60SA60DS Rev. C1
Typical Performance Characteristics
Figure 3. Typical Forward Voltage Drop
Figure 4. Typical Reverse Current
vs. Forward Current vs. Reverse Voltage
Figure 5. Typical Junction Capacitance Figure 6. Typical Reverse Recovery Time
vs. di
F/dt
Figure 7. Typical Reverse Recovery
Figure 8.
Forward Current Derating Curve
Current vs. di
F/dt
0.1
1
10
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
TC
= 150
oC
TC
= 125
oC
TC
= 25
oC
TC
= 100
oC
Forward Voltage , VF
[V]
Forward Current , I
F
[A]
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600
0.001
0.1
1
10
100
TC
= 150
oC
TC
= 125
oC
TC
= 100
oC
TC
= 25
oC
Reverse Current , I
R
[
?
A]
Reverse Voltage , VR
[V]
0.1 1 10 100
50
100
150
200
Typical Capacitance
at 0V = 169.3 pF
Capacitance , Cj [pF]
Reverse Voltage , VR
[V]
100 200 300 400 500 600
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
IF
= 8A
Tc = 25oC
Reverse Recovery Time , t
rr
[ns]
diF/dt [A/?s]
100 200 300 400 500 600
0
1
2
3
4
5
6
IF
= 8A
TC
= 25
oC
Reverse Recovery Current , I
rr
[A]
diF/dt [A/?s]
60 80 100 120 140 160
0
5
10
DC
Average Forward Current , I
F(AV)
[A]
Case Temperature , TC
[
o
C]
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FFPF60SB60DS | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:4A, 600V STEALTHTM II Rectifier |
| FFPF60SB60DSTU | 功能描述:整流器 600V 4A STEALTH II RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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